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NP80N04EHE, NP80N04KHE, NP80N04CHE, NP80N04DHE, NP80N04MHE, NP80N04NHE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
Pulsed
300
100
250
V GS = 10 V
10
T A = ? 40 ° C
25 ° C
75 ° C
150 ° C
175 ° C
200
150
100
1
50
0.1
1
2
3
4
V DS = 10 V
5
6
0
0
1
2
3
Pulsed
4
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
10
1
V DS = 10 V
Pulsed
T A = 175 ° C
75 ° C
25 ° C
? 40 ° C
50
40
30
20
Pulsed
0.1
10
I D = 40 A
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
20
Pulsed
4.0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
3.0
10
V GS = 10 V
2.0
1.0
0
1
10
100
1000
0
? 50
0
50
100
150
I D - Drain Current - A
Data Sheet D14239EJ7V0DS
T ch - Channel Temperature - ° C
5
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